K9KUGY8J7C-BCK0 vs K9LUGY8J7D-CCK0 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K9KUGY8J7C-BCK0 por Samsung Electronics e K9LUGY8J7D-CCK0 por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

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K9KUGY8J7C-BCK0 K9KUGY8J7C-BCK0 - 1Tb TLC NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9KUGY8J7C-BCK0 - 1Tb TLC NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9KUGY8J7C-BCK0 ✓ Ativo
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K9LUGY8J7D-CCK0 K9LUGY8J7D-CCK0 - Samsung V-NAND TLC Flash | Samsung Electronics

K9LUGY8J7D-CCK0 - Samsung V-NAND TLC Flash | Samsung Electronics

K9LUGY8J7D-CCK0 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K9KUGY8J7C-BCK0 K9LUGY8J7D-CCK0
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $9,55 $0,00
Tipo de memória NAND Flash (TLC V-NAND) NAND Flash (V-NAND)
Density 1 Tb [DATA_NEEDED: total density (bits)]
Organização da memória [DATA_NEEDED: page/block organization] —
Cell Type TLC (3 bits/cell) —
Tipo de interface [DATA_NEEDED: toggle DDR / ONFI mode] —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range in V] —
Supply Voltage (VCCQ) [DATA_NEEDED: VCCQ range in V] —
Page Size [DATA_NEEDED: page size in KB] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: block size] [DATA_NEEDED: block size]
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: P/E endurance] —
Package Type BGA —
Package Code [DATA_NEEDED: package code / ball count] —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: temperature range in C] [DATA_NEEDED: temperature range (C)]
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Grade Suffix BCK0 —
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
Memory Cell Type — TLC (Triple-Level Cell)
Technology — V-NAND (vertical NAND)
Encapsulamento — BGA (surface mount)
Interface — [DATA_NEEDED: interface type / toggle DDR mode]
Tensão de alimentação — [DATA_NEEDED: supply voltage (V)]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: P/E cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention]
Speed Grade Code — CCK0 (per Samsung part-number convention)

Fichas técnicas e recursos

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