M29F200FB55N3E2 vs M29F200FT55N3E2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de M29F200FB55N3E2 por Micron Technology e M29F200FT55N3E2 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
M29F200FB55N3E2 M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 ✗ Fim de vida
Micron Technology
M29F200FT55N3E2 M29F200FT55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FT55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FT55N3E2 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro M29F200FB55N3E2 M29F200FT55N3E2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Fim de vida Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,45 $0,00
Tipo de memória NOR Flash, Parallel NOR Flash
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
Organização da memória 256K x 8 / 128K x 16 —
Number of Words 128 K 128 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Architecture Bottom Boot Block —
Interface Parallel, 8/16-bit selectable Parallel
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
Temperatura de operação -40C to +125C -40C to +125C
Package Type 48-pin TSOP I —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Memory Cell Type SLC NOR —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Tray Tray
Memory Organization — 256K x 8 / 128K x 16
Tensão de alimentação — 5 V
Boot Block — Top boot block
Program / Erase — Embedded program/erase controller
Encapsulamento — 48-TSOP I
Bus Mode — Byte (x8) / Word (x16) selectable

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação