M29W064FT70N3F vs M29W064FB70N3E Comparação
Comparação detalhada lado a lado de M29W064FT70N3F por Micron Technology e M29W064FB70N3E por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | M29W064FT70N3F | M29W064FB70N3E |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Flash |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,30 | $0,00 |
| Tipo de memória | NOR Flash | NOR Flash, Parallel |
| Density | 64 Mbit | — |
| Organização da memória | 8 Mbit x8 / 4 Mbit x16 | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | up to 3.6 V for program, erase, read | — |
| VPP Fast Program Voltage | 12 V (optional) | — |
| Interface | Parallel | Parallel, CFI compliant |
| Boot Block Configuration | Top boot block (FT) | — |
| Temperatura de operação | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Encapsulamento | 48-TSOP I | 48-Pin TSOP |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Programming Method | Command set / data polling / toggle bit | — |
| Block Protection | Yes, with temporary unprotection | — |
| Product Longevity Program | No | — |
| Width | x8/x16 | — |
| Status RoHS | unknown | Compliant |
| Tamanho da memória | — | 64 Mbit (8M x 8 / 4M x 16) |
| Tensão de alimentação | — | 3.0 V to 3.6 V (3V/3.3V) |
| Boot Block | — | Bottom boot block (FB variant) |
| Organization Switching | — | Byte/Word selectable via BYTE# pin |
| Reset/Power-Down | — | RP# pin |
| Data Protection | — | Block protection, WP# hardware protection |
| Device Signature | — | Electronic signature for device identification |
| Packaging | — | Tray |
| Brand Source | — | Micron Technology / Alliance Memory, Inc. (second source) |
| Erase/Program Mode | — | Word/byte program, block erase, chip erase |