MP3V5004GVP vs MPVZ5010G7U Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MP3V5004GVP por NXP Semiconductors e MPVZ5010G7U por NXP Semiconductors. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

NXP Semiconductors
MP3V5004GVP MP3V5004GVP - 0-3.92kPa Gauge Pressure Sensor, 3V, SOP-8 | NXP

MP3V5004GVP - 0-3.92kPa Gauge Pressure Sensor, 3V, SOP-8 | NXP

MP3V5004GVP ✓ Ativo
NXP Semiconductors
MPVZ5010G7U MPVZ5010G7U - 10 kPa Vented Gauge Pressure Sensor, 8-DIP | NXP

MPVZ5010G7U - 10 kPa Vented Gauge Pressure Sensor, 8-DIP | NXP

MPVZ5010G7U ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MP3V5004GVP MPVZ5010G7U
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoria Pressure Sensors Pressure Sensors
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $5,10 $7,25
Pressure Type Gauge Vented Gauge
Operating Pressure Range 0 kPa to 3.92 kPa 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI)
Pressure Resolution Gage, ratiometric —
Tensão de alimentação 2.7 V to 3.3 V (3 V typical) —
Tensão de saída 0.6 V to 3 V (ratiometric) —
Tipo de saída Analog, ratiometric voltage Analog, ratiometric to Vcc
Accuracy 5% over 0 to 80 C ±1.5 %FS (0 °C to 85 °C)
Temperatura de operação 0 C to +85 C —
Pressure Port Bottom port (Case 482A) —
Encapsulamento SOP-8 (Small Outline Package) 8-DIP Module (Case 1368-01, through-hole)
Tipo de montagem Surface Mount Through-Hole (DIP module with vent tube)
Media Compatibility Dry air, non-corrosive gases —
On-Chip Signal Conditioning Yes (amplification + temperature compensation) —
Calibration Factory calibrated —
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free Yes —
Supply Voltage (Vcc) — 4.75 V to 5.25 V (5 V typical)
Corrente de alimentação — 10 mA (maximum)
Analog Output Range — 0.2 V to 4.7 V
Response Time — [DATA_NEEDED: response time ms]
Faixa de temperatura de operação — 0 °C to +85 °C
Compensated Temperature Range — -10 °C to +60 °C
Storage Temperature Range — -30 °C to +100 °C [DATA_NEEDED: confirm exact storage spec]
Sensor Technology — Piezoresistive silicon micromachined
Signal Conditioning — On-chip, temperature compensated, calibrated
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Body Height — 5.46 mm

Fichas técnicas e recursos

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