MPVZ5010G6U vs MPVZ5010G7U Comparação
Comparação detalhada lado a lado de MPVZ5010G6U por NXP Semiconductors e MPVZ5010G7U por NXP Semiconductors. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
NXP Semiconductors
MPVZ5010G7U - 10 kPa Vented Gauge Pressure Sensor, 8-DIP | NXP
MPVZ5010G7U ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | MPVZ5010G6U | MPVZ5010G7U |
|---|---|---|
| Marca | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Categoria | Pressure Sensors | Pressure Sensors |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $8,40 | $7,25 |
| Pressure Type | Vented Gauge | Vented Gauge |
| Operating Pressure Range | 0 kPa to 10 kPa (1.45 PSI) | 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) |
| Tipo de saída | Analog Voltage, Ratiometric | Analog, ratiometric to Vcc |
| Faixa de tensão de saída | 0.2 V to 4.7 V | — |
| Tensão de alimentação | 4.75 V to 5.25 V | — |
| Corrente de alimentação | 5 mA (typical) | 10 mA (maximum) |
| Accuracy | ±5% over 0 C to 85 C | ±1.5 %FS (0 °C to 85 °C) |
| Linearity | ±2.5% max | — |
| Temperatura de operação | -40 C to +125 C | — |
| Encapsulamento | 8-SMD Module (SOP 8) | 8-DIP Module (Case 1368-01, through-hole) |
| Port Style | No Port (rear vented) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Through-Hole (DIP module with vent tube) |
| Technology | Piezoresistive (Monolithic Silicon) | — |
| Signal Conditioning | On-chip, calibrated and temperature compensated | On-chip, temperature compensated, calibrated |
| Output Span | 4.5 V nominal (0.2 V to 4.7 V) | — |
| Status RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Supply Voltage (Vcc) | — | 4.75 V to 5.25 V (5 V typical) |
| Analog Output Range | — | 0.2 V to 4.7 V |
| Response Time | — | [DATA_NEEDED: response time ms] |
| Faixa de temperatura de operação | — | 0 °C to +85 °C |
| Compensated Temperature Range | — | -10 °C to +60 °C |
| Storage Temperature Range | — | -30 °C to +100 °C [DATA_NEEDED: confirm exact storage spec] |
| Sensor Technology | — | Piezoresistive silicon micromachined |
| Nível MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Body Height | — | 5.46 mm |