MT40A512M16TB-062E:R vs MT40A512M16JY-075E Comparação
Comparação detalhada lado a lado de MT40A512M16TB-062E:R por Micron Technology e MT40A512M16JY-075E por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | MT40A512M16TB-062E:R | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $60,00 | $30,50 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamanho da memória | 8 Gbit (512M x 16) | 8 Gbit |
| Taxa de dados | 3200 MT/s | 2666 MT/s |
| Clock Frequency | 1600 MHz | 1.33 GHz |
| Latência CAS | 22 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | 1.14V to 1.26V |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Temperatura de operação | 0°C to +95°C | — |
| Encapsulamento | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 96-FBGA (8x14) |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Largura do barramento de dados | 16 bits | — |
| Refresh Time | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | 1.2V pseudo open-drain |
| Recursos | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Organização da memória | — | 512M x 16 |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Faixa de temperatura de operação | — | 0°C to +95°C (TC) |