MT41K256M16HA-107:E vs K4B4G1646D-BFMA Comparação
Comparação detalhada lado a lado de MT41K256M16HA-107:E por Micron Technology e K4B4G1646D-BFMA por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107:E ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | MT41K256M16HA-107:E | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $5,00 | $6,50 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Tamanho da memória | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tensão de alimentação | 1.35V | 1.5V |
| Encapsulamento | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Temperatura de operação | 0°C to 95°C (Tc) | — |
| Interface | Parallel | — |
| Taxa de dados | 1866 MT/s | 1866 Mbps |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Número de pinos | 96 | — |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Latência CAS | 13 (typical) | Programmable |
| Density | — | 4Gb |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |
| Livre de halogênio | — | Yes |