N25Q512A83G12A0F vs N25Q512A83GSFA0F Comparação
Comparação detalhada lado a lado de N25Q512A83G12A0F por Micron Technology e N25Q512A83GSFA0F por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | N25Q512A83G12A0F | N25Q512A83GSFA0F |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $5,20 | $0,00 |
| Tipo de memória | Flash - NOR Memory IC | FLASH - NOR (Serial SPI) |
| Memory Capacity | 512 Mbit (64 MB) | — |
| Organização da memória | 128M x 4 | 128M x 4 |
| Interface | SPI - Multiple I/O (Standard/Dual/Quad) | SPI - Multiple I/O |
| Clock Frequency | 108 MHz | — |
| Tensão de alimentação | 2.7 V to 3.6 V (3V class) | 2.7 V to 3.6 V |
| Cell Type | SLC | — |
| Sector Erase Size | 4 KB | 4 KB |
| Encapsulamento | 24-T-PBGA (6x8 mm) | 16-SO (SOIC DDP) |
| Package Structure | Dual-Die Package (DDP) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Program/Erase Protection | Software and hardware write protection | — |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: active read current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Tamanho da memória | — | 512Mb (128M x 4) |
| Technology | — | SLC NOR Flash |
| Max Clock Frequency | — | 108 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | — | 8 ms, 5 ms |
| Memory Format | — | FLASH |
| Non-Volatile Category | — | Non-Volatile Memory |
| Package Body Size | — | [DATA_NEEDED: package body dimensions] |