N25Q512A83G12A0F vs N25Q512A83GSFA0F 비교
다음의 상세 나란히 비교: N25Q512A83G12A0F 제조: Micron Technology 및 N25Q512A83GSFA0F 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | N25Q512A83G12A0F | N25Q512A83GSFA0F |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.20 | $0.00 |
| 메모리 유형 | Flash - NOR Memory IC | FLASH - NOR (Serial SPI) |
| Memory Capacity | 512 Mbit (64 MB) | — |
| 메모리 구성 | 128M x 4 | 128M x 4 |
| 인터페이스 | SPI - Multiple I/O (Standard/Dual/Quad) | SPI - Multiple I/O |
| Clock Frequency | 108 MHz | — |
| 공급 전압 | 2.7 V to 3.6 V (3V class) | 2.7 V to 3.6 V |
| Cell Type | SLC | — |
| Sector Erase Size | 4 KB | 4 KB |
| 패키지 | 24-T-PBGA (6x8 mm) | 16-SO (SOIC DDP) |
| Package Structure | Dual-Die Package (DDP) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Program/Erase Protection | Software and hardware write protection | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: active read current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| 메모리 크기 | — | 512Mb (128M x 4) |
| Technology | — | SLC NOR Flash |
| Max Clock Frequency | — | 108 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | — | 8 ms, 5 ms |
| Memory Format | — | FLASH |
| Non-Volatile Category | — | Non-Volatile Memory |
| Package Body Size | — | [DATA_NEEDED: package body dimensions] |