NT5AD512M16B4-HR vs NT5AD512M16C4-JR Comparação

Comparação detalhada lado a lado de NT5AD512M16B4-HR por Nanya Technology e NT5AD512M16C4-JR por Nanya Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Nanya Technology
NT5AD512M16B4-HR NT5AD512M16B4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 1.2V | Nanya

NT5AD512M16B4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 1.2V | Nanya

NT5AD512M16B4-HR ✓ Ativo
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JR NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro NT5AD512M16B4-HR NT5AD512M16C4-JR
Marca Nanya Technology Nanya Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $43,10 $73,75
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8Gb 8 Gbit
Organização da memória 512M x 16 512M x16
Tensão de alimentação 1.2V —
Encapsulamento 96-ball TFBGA TFBGA-96
Temperature Range 0°C to +95°C —
Taxa de dados 3200 Mbps 1.6 GHz (DDR4-3200)
Auto Self-Refresh Yes Yes
Built-in Temperature Sensor Yes Yes
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
Data Mask Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
Dynamic On-Chip Termination Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
CRC Function Yes Yes
RoHS Compliant Compliant
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Faixa de temperatura de operação — 0°C to +95°C
Standby Current — 0.023 A (max)
Number of Terminals — 96

Fichas técnicas e recursos

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