NT5AD512M16B4-HR vs NT5AD512M16C4-JR Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT5AD512M16B4-HR von Nanya Technology und NT5AD512M16C4-JR von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | NT5AD512M16B4-HR | NT5AD512M16C4-JR |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $43,10 | $73,75 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | 8 Gbit |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x16 |
| Versorgungsspannung | 1.2V | — |
| Gehäuse | 96-ball TFBGA | TFBGA-96 |
| Temperature Range | 0°C to +95°C | — |
| Datenrate | 3200 Mbps | 1.6 GHz (DDR4-3200) |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Data Mask | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Betriebstemperaturbereich | — | 0°C to +95°C |
| Standby Current | — | 0.023 A (max) |
| Number of Terminals | — | 96 |