NT5CC256M16DP-DI vs NT5CC256M16CP-DIA Comparação

Comparação detalhada lado a lado de NT5CC256M16DP-DI por Nanya Technology e NT5CC256M16CP-DIA por Nanya Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DI NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI ✓ Ativo
Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIA NT5CC256M16CP-DIA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIA ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro NT5CC256M16DP-DI NT5CC256M16CP-DIA
Marca Nanya Technology Nanya Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $6,50 $5,90
Tipo de memória DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
Organização da memória 256M x 16 —
Tensão de alimentação 1.35V 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
Taxa de dados 1600 Mbps/pin (800MHz) 1600 Mbps (800 MHz clock)
Encapsulamento VFBGA-96 TFBGA-96 (9 x 13 mm, 0.8 mm pitch)
Faixa de temperatura de operação -40°C to +95°C (industrial) -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive)
Latência CAS 11, 12, 13 (programmable) —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Number of Banks 8 8
Interface Differential clock (CK, CK#) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes (ODT) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Tamanho da memória — 4 Gbit (256M x 16)
CAS Latency (CL) — 11, 12, 13
Write Latency (CWL) — 5, 6, 7, 8, 9
Access Time (tAC) — 0.225 ns
Livre de halogênio — Yes
Tipo de montagem — Surface Mount
Differential Clock Input — Yes (CK, CK#)
On-Die Termination (ODT) — Yes

Fichas técnicas e recursos

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