STB80NF55-06T4 vs STB80NF55-08AG Comparação

Comparação detalhada lado a lado de STB80NF55-06T4 por STMicroelectronics e STB80NF55-08AG por STMicroelectronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

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STB80NF55-06T4 STB80NF55-06T4 - 80A, 55V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STB80NF55-06T4 - 80A, 55V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STB80NF55-06T4 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro STB80NF55-06T4 STB80NF55-08AG
Marca STMicroelectronics STMicroelectronics
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,38 $0,81
Polarity N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 80 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 320 A —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 6.5 mΩ (typ), 8 mΩ (max) —
Gate Charge (Qg) 80 nC (typ) [DATA_NEEDED: gate charge value]
Input Capacitance (Ciss) 4500 pF (typ) [DATA_NEEDED: input capacitance value]
Output Capacitance (Coss) 700 pF (typ) —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 250 pF (typ) —
Power Dissipation (PD) 300 W 300 W (Tc)
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C -55°C to +175°C
Encapsulamento D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Livre de halogênio Yes —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) — 80 A (Tc)
On-Resistance (RDS(on)) — 6.5 mΩ typ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage value]
Avalanche Energy (EAS) — 100% avalanche tested
Automotive Grade — AEC-Q101 qualified
Technology — STripFET

Fichas técnicas e recursos

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