TJ30S06M3L(T6L1 vs IRF4905PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de TJ30S06M3L(T6L1 por Toshiba e IRF4905PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro TJ30S06M3L(T6L1 IRF4905PBF
Marca Toshiba Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,54 $0,95
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDSS) -60 V —
Gate-Source Voltage (VGSS) +10 V / -20 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C -30 A —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 68 W —
RDS(ON) Max @ VGS=-10 V 21.8 mΩ —
RDS(ON) Typ @ VGS=-10 V 16.8 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vth) -3.0 V (typ) @ VDS=-1 mA —
Drain Leakage (IDSS) Max -10 µA @ VDS=-60 V —
Input Capacitance (Ciss) 3950 pF —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C (Tj) -55 °C to +175 °C (junction)
Encapsulamento DPAK+ (TO-252-3) TO-220AB (through-hole)
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Technology U-MOS (Silicon P-Channel MOS) HEXFET (IR MOSFET)
FET Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — -74 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC — 200 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 20 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC
Pin Configuration — Gate - Drain - Source (left to right)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant)
Nível MSL — 1 (not moisture-sensitive for TO-220)

Fichas técnicas e recursos

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