TMP816PWR vs DRV8804PWPR Comparação

Comparação detalhada lado a lado de TMP816PWR por Texas Instruments e DRV8804PWPR por Texas Instruments. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Texas Instruments
TMP816PWR TMP816PWR - 18V Single-Phase BLDC Fan-Motor Predriver | TI

TMP816PWR - 18V Single-Phase BLDC Fan-Motor Predriver | TI

TMP816PWR ✓ Ativo
Texas Instruments
DRV8804PWPR DRV8804PWPR - 65V 2.3A Quad Low-Side Driver | Texas Instruments

DRV8804PWPR - 65V 2.3A Quad Low-Side Driver | Texas Instruments

DRV8804PWPR ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro TMP816PWR DRV8804PWPR
Marca Texas Instruments Texas Instruments
Categoria Motor Drivers Motor Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,39 $2,12
Topologia Single-phase full-wave BLDC fan predriver —
Supply Voltage (VCC) 6 V to 16 V —
Maximum Supply Voltage 18 V —
Load Voltage 10 V —
Output Current 20 mA (gate drive to external PNP+NMOS) —
Número de saídas 1 (pre-driver output pair) —
Current Limit Threshold Adjustable (external resistor) —
Faixa de temperatura de operação -30 °C to +95 °C —
Control Input PWM speed command —
Tachometer Output FG (frequency-generator) signal —
External Power Stage PNP + N-channel MOSFET pair —
Protection Features Thermal shutdown, adjustable current limit, lock-rotor protection —
Encapsulamento 20-pin TSSOP (PW), 4.40 mm width HTSSOP-16 (PWP) with PowerPAD
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (unlimited floor life at <30 °C / 85 % RH) —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Drive Method Full-wave, sensored (Hall-element input) —
Number of Channels — 4 (low-side)
Output Current (per channel) — 1.5 A (single channel on, SOIC DW package)
Output Current (per channel, all on) — 800 mA (HTSSOP PWP package)
Peak Output Current — 2.3 A
Supply Voltage (VM) — 8.2 V to 60 V
Logic Supply Voltage (VDD) — 3.0 V to 5.5 V
RDS(on) (per FET) — 500 mΩ typical
Control Interface — SPI (daisy-chainable)
Integrated Catch Diodes — Yes
Proteção contra sobrecorrente — Yes (per channel)
Desligamento térmico — Yes
Undervoltage Lockout — Yes
Temperatura de operação — -40 C to +125 C

Fichas técnicas e recursos

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