UCC21521Q-Q1 vs UCC21550Q-Q1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de UCC21521Q-Q1 por Texas Instruments e UCC21550Q-Q1 por Texas Instruments. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Texas Instruments
UCC21550Q-Q1 UCC21550Q-Q1 - 4A/6A Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21550Q-Q1 - 4A/6A Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21550Q-Q1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro UCC21521Q-Q1 UCC21550Q-Q1
Marca Texas Instruments Texas Instruments
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,00 $2,10
Isolation Type Capacitive coupling, reinforced isolation —
Isolation Rating 5700 Vrms 5000 Vrms (reinforced)
Canais 2 (dual low-side, dual high-side, or half-bridge) —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Pino de habilitação Yes —
UVLO Yes, on input and output supplies —
AEC-Q100 Qualified (automotive grade Q1) —
Temperatura de operação -40C to +125C -40C to +150C
Encapsulamento 16-SOIC (DW) 16-SOIC (DW)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Common-Mode Transient Immunity [DATA_NEEDED: CMTI value in kV/us or V/ns] —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: typical propagation delay] —
Supply Voltage Range (Input/Output) [DATA_NEEDED: VDD/VCCI range] —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Status do ciclo de vida Active —
Product Type — Reinforced isolated dual-channel gate driver
Number of Channels — 2
Isolation Technology — Capacitive coupling
Configurations — Dual low-side, dual high-side, or half-bridge
Programmable Dead Time — Yes (single resistor)
Target Transistors — Power MOSFET, SiC, GaN, IGBT
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified (Q1)
Disable Function — Yes
Tensão de alimentação — [DATA_NEEDED: VDD range]

Fichas técnicas e recursos

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