1ED3142MC12HXUMA1 vs 2ED2106S06FXUMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 1ED3142MC12HXUMA1 от Infineon и 2ED2106S06FXUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
1ED3142MC12HXUMA1 1ED3142MC12HXUMA1 - 6A Isolated Gate Driver | Infineon EiceDRIVER

1ED3142MC12HXUMA1 - 6A Isolated Gate Driver | Infineon EiceDRIVER

1ED3142MC12HXUMA1 ✓ Активен
Infineon
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр 1ED3142MC12HXUMA1 2ED2106S06FXUMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,32 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number 1ED3142MC12HXUMA1 —
Product Family EiceDRIVER X3 Compact —
Driver Type Isolated single-channel gate driver —
Isolation Technology Coreless transformer (galvanic) —
Isolation Voltage 3000 Vrms —
Number of Channels 1 —
Количество выходов 2 (separate source/sink) 2 (1 high-side, 1 low-side)
Configuration Inverting, Non-Inverting High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Source Drive Current 6 A —
Sink Drive Current 6.5 A —
Maximum Rise Time 20 ns —
Maximum Fall Time 20 ns —
Propagation Delay (typ.) 40 ns 100 ns
Supported Switches IGBT, MOSFET, SiC MOSFET —
Корпус PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1) PG-DSO-8-69 (DSO-8)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
EU RoHS Compliant —
Part Status Active —
ECCN EAR99 —
Offset Voltage (Voffset max) — 650 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Input Logic Compatibility — CMOS, TTL
Number of Drivers — 2
Количество выводов — 8
Bootstrap Diode — Integrated
Диапазон рабочих температур — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
Тип выхода — Half-Bridge, Non-Inverting

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену