2ED21064S06JXUMA1 vs 1ED3142MC12HXUMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 2ED21064S06JXUMA1 от Infineon и 1ED3142MC12HXUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
2ED21064S06JXUMA1 2ED21064S06JXUMA1 - 650V 0.7A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED21064S06JXUMA1 - 650V 0.7A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED21064S06JXUMA1 ✓ Активен
Infineon
1ED3142MC12HXUMA1 1ED3142MC12HXUMA1 - 6A Isolated Gate Driver | Infineon EiceDRIVER

1ED3142MC12HXUMA1 - 6A Isolated Gate Driver | Infineon EiceDRIVER

1ED3142MC12HXUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр 2ED21064S06JXUMA1 1ED3142MC12HXUMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,85 $1,32
Функция High-Side and Low-Side Gate Driver —
Configuration Half-Bridge (2 outputs, non-inverting) Inverting, Non-Inverting
Топология High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode —
Maximum Offset / Boot Voltage 650 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.7 A —
Rise Time (typical) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (typical) [DATA_NEEDED: fall time] —
Propagation Delay (typical) 100 ns —
Channel-to-Channel Delay Match [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match] —
Under-Voltage Lockout Yes (both channels) —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS —
Рабочая температура -40C to +125C —
Корпус PG-DSO-14 (14-pin SOIC) PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Статус RoHS ROHS3 Compliant —
Negative Gate Drive Robustness -0.7 V —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — 1ED3142MC12HXUMA1
Product Family — EiceDRIVER X3 Compact
Driver Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Technology — Coreless transformer (galvanic)
Isolation Voltage — 3000 Vrms
Number of Channels — 1
Количество выходов — 2 (separate source/sink)
Source Drive Current — 6 A
Sink Drive Current — 6.5 A
Maximum Rise Time — 20 ns
Maximum Fall Time — 20 ns
Propagation Delay (typ.) — 40 ns
Supported Switches — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
EU RoHS — Compliant
Part Status — Active
ECCN — EAR99

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену