6EDL04I065PRXUMA1 vs 1ED020I12B2XUMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 6EDL04I065PRXUMA1 от Infineon и 1ED020I12B2XUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
6EDL04I065PRXUMA1 6EDL04I065PRXUMA1 - 650V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04I065PRXUMA1 - 650V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04I065PRXUMA1 ✓ Активен
Infineon
1ED020I12B2XUMA1 1ED020I12B2XUMA1 - 1200V Isolated Gate Driver, 2A, DESAT | Infineon

1ED020I12B2XUMA1 - 1200V Isolated Gate Driver, 2A, DESAT | Infineon

1ED020I12B2XUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр 6EDL04I065PRXUMA1 1ED020I12B2XUMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,65 $2,65
Product Type Three-Phase Gate Driver IC —
Топология Half-Bridge, 3-phase (6 outputs) —
Blocking Voltage 650 V —
Выходная конфигурация 6 outputs (3 high-side + 3 low-side) —
Logic Inputs Non-Inverting —
Source Current (typ.) 0.24 A —
Sink Current (typ.) 0.5 A —
Logic Supply Voltage (VCC) 3.3 V to 5 V (typ. 5 V) —
High-Side Floating Supply Voltage (VB) up to 650 V (offset) —
Bootstrap Diodes Integrated (3x) —
Over-Current Protection (OCP) Yes —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (per channel) —
Fault Output Yes (open-drain / active-low) —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay] 35 ns
Рабочая температура перехода -40 C to +125 C —
Корпус PG-TSSOP-25 PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL 2 (per JEDEC J-STD-020) MSL-3 (per JEDEC J-STD-020)
Статус RoHS Compliant —
Driver Type — Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated
Isolation Technology — Coreless transformer (magnetic coupling)
Isolation Voltage (Vrms) — 4500 Vrms
Number of Channels — 1
Output Current (typ.) — 2 A source / 2 A sink
Supported Switch Voltage Class — Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET
DESAT Protection — Yes (programmable threshold)
Miller Clamp — Yes (integrated 2 A clamp FET)
Input Supply (VCC1) — 5 V (logic side)
Output Supply (VCC2) — Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V
Creepage Distance — 8 mm
Рабочая температура — -40 °C to +125 °C
Compliance — RoHS compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену