BSC019N06NSATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSC019N06NSATMA1 от Infineon и ISC015N06NM5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | BSC019N06NSATMA1 | ISC015N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,92 | $0,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC019N06NSATMA1 | — |
| Technology / Family | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 100 A | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] | — |
| On-State Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 1.95 mΩ (typ) | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) Typ | 3.3 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 136 W | — |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +150C (junction) | -55 C to +175 C |
| Корпус | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Уровень MSL | 1 | — |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | — | 259 A |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 1.5 mOhm |
| Total Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Total Power Dissipation (TC) | — | 188 W |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | 1 |