BSC020N03LSGATMA1 vs BSZ018NE2LSATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC020N03LSGATMA1 от Infineon и BSZ018NE2LSATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC020N03LSGATMA1 BSC020N03LSGATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS 3, 100A TDSON-8 | Infineon

BSC020N03LSGATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS 3, 100A TDSON-8 | Infineon

BSC020N03LSGATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSZ018NE2LSATMA1 BSZ018NE2LSATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET, 23A/40A | Infineon

BSZ018NE2LSATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET, 23A/40A | Infineon

BSZ018NE2LSATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC020N03LSGATMA1 BSZ018NE2LSATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,42 $0,31
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet) —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V approximately 2.0 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 96 W —
Диапазон рабочих температур -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C
Корпус / Типоразмер PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel —
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Product Family — OptiMOS 25V
Technology — N-Channel Trench MOSFET
Continuous Drain Current (TA) — 23 A
Continuous Drain Current (TC) — 40 A
Power Dissipation (TA) — 2.1 W
Power Dissipation (TC) — 69 W
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V]
Корпус — PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad)
Lead-Free — Yes
Без галогенов — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену