BSC027N06LS5ATMA1 vs BSZ018NE2LSATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC027N06LS5ATMA1 от Infineon и BSZ018NE2LSATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSZ018NE2LSATMA1 BSZ018NE2LSATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET, 23A/40A | Infineon

BSZ018NE2LSATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET, 23A/40A | Infineon

BSZ018NE2LSATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC027N06LS5ATMA1 BSZ018NE2LSATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,66 $0,31
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 5 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) N-Channel Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 25 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100°C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 2.7 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 83 W —
Диапазон рабочих температур -55°C to +150°C -55C to +150C
Корпус / Типоразмер PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Число выводов 8 —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total Qg] —
Avalanche Energy Rated Yes —
Статус RoHS Compliant Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Product Family — OptiMOS 25V
Continuous Drain Current (TA) — 23 A
Continuous Drain Current (TC) — 40 A
Power Dissipation (TA) — 2.1 W
Power Dissipation (TC) — 69 W
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V]
Корпус — PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad)
Уровень MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Lead-Free — Yes
Без галогенов — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену