BSC027N06LS5ATMA1 vs IPD60R280P7SAUMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC027N06LS5ATMA1 от Infineon и IPD60R280P7SAUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IPD60R280P7SAUMA1 IPD60R280P7SAUMA1 - 600V 280mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R280P7SAUMA1 - 600V 280mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R280P7SAUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC027N06LS5ATMA1 IPD60R280P7SAUMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,66 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™ 5 CoolMOS P7 (7th generation, 600 V)
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 600 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level 4 V max @ ID = 190 µA
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100°C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 2.7 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 83 W —
Диапазон рабочих температур -55°C to +150°C —
Корпус / Типоразмер PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Число выводов 8 —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total Qg] —
Avalanche Energy Rated Yes —
Статус RoHS Compliant Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 12 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 280 mΩ (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) — 53 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -40 °C to +150 °C
Корпус — PG-TO252-3 (DPAK)
Уровень MSL — 1
Integrated ESD Protection — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену