BSC030N03MSGATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSC030N03MSGATMA1 от Infineon и BSC042NE7NS3GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | BSC030N03MSGATMA1 | BSC042NE7NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,43 | $1,24 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3M | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 21 A | 19 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 3.0 mΩ (typical at VGS=10V) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc=25°C | 69 W | — |
| Рабочая температура перехода | -55°C to +150°C | — |
| Корпус | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) | 4.5V / 10V | — |
| Status | Active | — |
| Part Number | — | BSC042NE7NS3GATMA1 |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.2 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 1.7 V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 125 W |
| Диапазон рабочих температур | — | -55C to +150C |
| Уровень MSL | — | 1 |