BSC040N08NS5ATMA1 vs BSC040N10NS5ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC040N08NS5ATMA1 от Infineon и BSC040N10NS5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC040N08NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1 - 80V 100A 4mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC040N08NS5ATMA1 - 80V 100A 4mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC040N08NS5ATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 - 100V 100A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC040N10NS5ATMA1 - 100V 100A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC040N10NS5ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC040N08NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,15 $0,93
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC040N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) 121 A —
On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 4 mOhm —
Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc=25C) 104 W —
Корпус PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) / TDSON EP-8
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура перехода -55 C to +175 C —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] [DATA_NEEDED: Qg total]
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL 1 —
Primary Application Synchronous rectification in telecom and server power supplies —
FET Type — N-Channel
Maximum On-Resistance (RDS(on)) — 4 mOhm
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) max — 136 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 139 W
Диапазон рабочих температур — -55C to +150C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Output Capacitance Reduction — Up to 44% vs previous generation
RDS(on) Reduction — Up to 43% vs previous generation
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per Infineon OptiMOS 5 family)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену