BSC042NE7NS3GATMA1 vs IPB020NE7N3GATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSC042NE7NS3GATMA1 от Infineon и IPB020NE7N3GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPB020NE7N3GATMA1 - 75V 120A N-Channel MOSFET | Infineon OptiMOS
IPB020NE7N3GATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | BSC042NE7NS3GATMA1 | IPB020NE7N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,24 | $2,31 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC042NE7NS3GATMA1 | IPB020NE7N3GATMA1 |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 3 | OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 19 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | 120 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | 4.2 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 1.7 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 125 W | 300 W |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +150C | -55C to +175C (junction) |
| Корпус | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Уровень MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Polarity | — | N-Channel |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 2.0 mΩ typical (per part number code) |
| Configuration | — | Single |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] |
| Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes (per OptiMOS 3 family datasheet) |