BSC042NE7NS3GATMA1 vs IPB020NE7N3GATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSC042NE7NS3GATMA1 제조: Infineon 및 IPB020NE7N3GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSC042NE7NS3GATMA1 | IPB020NE7N3GATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.24 | $2.31 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC042NE7NS3GATMA1 | IPB020NE7N3GATMA1 |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 3 | OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 19 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | 120 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | 4.2 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 1.7 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 125 W | 300 W |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C | -55C to +175C (junction) |
| 패키지 | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL 레벨 | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Polarity | — | N-Channel |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 2.0 mΩ typical (per part number code) |
| Configuration | — | Single |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] |
| Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes (per OptiMOS 3 family datasheet) |