BSC050N04LSGATMA1 vs BSC019N06NSATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC050N04LSGATMA1 от Infineon и BSC019N06NSATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC019N06NSATMA1 BSC019N06NSATMA1 - 60V 100A 1.95mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC019N06NSATMA1 - 60V 100A 1.95mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC019N06NSATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC050N04LSGATMA1 BSC019N06NSATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,41 $0,92
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) 18 A —
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) 85 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] [DATA_NEEDED: IDM pulse rating]
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 57 W —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Technology OptiMOS 3 (trench MOSFET) —
Корпус PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55C to +150C -55C to +150C (junction)
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse avalanche) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL 1 1
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC019N06NSATMA1
Technology / Family — OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 100 A
On-State Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.95 mΩ (typ)
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) Typ — 3.3 V
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 136 W
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену