BSC076N06NS3GATMA1 vs BSC060N10NS3GATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC076N06NS3GATMA1 от Infineon и BSC060N10NS3GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 - 60V 50A 7.6mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC076N06NS3GATMA1 - 60V 50A 7.6mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC076N06NS3GATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 - 100V 6mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC060N10NS3GATMA1 - 100V 6mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC060N10NS3GATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC076N06NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,65 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel Trench MOSFET OptiMOS 3 (Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 50 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7.6 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V 10.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 3.5 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 69 W —
Диапазон рабочих температур -55C to +150C —
Корпус PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Compliance Compliant —
Без галогенов Yes (per Infineon product page) [DATA_NEEDED: halogen status]
Part Family — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 14.9 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 90 A
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 6 mOhm
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 125 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 3.5 V
Рабочая температура перехода — -55 C to +150 C
Статус RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS value]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену