BSC097N06NSATMA1 vs BSC028N06NSTATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC097N06NSATMA1 от Infineon и BSC028N06NSTATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC097N06NSATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC097N06NSATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC028N06NSTATMA1 BSC028N06NSTATMA1 - 60V 2.8mΩ N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC028N06NSTATMA1 - 60V 2.8mΩ N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC028N06NSTATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC097N06NSATMA1 BSC028N06NSTATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,38 $0,40
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS 5
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 46 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM peak value] —
RDS(on) max at VGS=10 V 9.7 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 36 W —
Рабочая температура перехода -55C to +150C -55C to +175C
Корпус / Типоразмер PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (Trench) MOSFET N-Channel (OptiMOS 5)
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL 1 (Unlimited) 1
Avalanche Rated Yes (EAS per datasheet) —
Part Number Base — BSC028N06NS
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V to 3.5 V
Total Gate Charge Qg — 37 nC @ VGS=10V
Input Capacitance Ciss — 3000 nC [DATA_NEEDED: confirm exact pF from datasheet]
Output Capacitance Coss — 825 pF
Reverse Transfer Capacitance Crss — 56 pF
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 100 W
Корпус — PG-TDSON-8-7 (SuperSO8, 5x6 mm)
Без галогенов — Yes
AEC-Q101 Automotive Qualified — [DATA_NEEDED: confirm from datasheet - this is the NS base, automotive grade may differ]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену