BSC0993NDATMA1 vs BSC360N15NS3GATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSC0993NDATMA1 от Infineon и BSC360N15NS3GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
BSC360N15NS3GATMA1 - 150V 36mOhm N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
BSC360N15NS3GATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | BSC0993NDATMA1 | BSC360N15NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,32 | $0,82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 5 30V | — |
| Configuration | Dual N-Channel (Array) | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Ta | 17 A | — |
| Корпус | PG-TISON-8 | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +150C (junction) | -55°C to +150°C (junction) |
| ESD Protection | Yes (integrated) | — |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Rds(on) max @ Vgs=10V | [DATA_NEEDED: Rds(on) value] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Part Number | — | BSC360N15NS3GATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 33 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 36 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 74 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) typ | — | 3.0 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |