BSC109N10NS3GATMA1 vs BSC12DN20NS3GATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSC109N10NS3GATMA1 от Infineon и BSC12DN20NS3GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
BSC109N10NS3GATMA1 - 100V 63A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC109N10NS3GATMA1 ✓ АктивенInfineon
BSC12DN20NS3GATMA1 - 200V 11.3A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | BSC109N10NS3GATMA1 | BSC12DN20NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,95 | $0,61 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 63 A | 11.3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 78 W | 50 W |
| RDS(on) Max | 10.9 mOhm at VGS=10 V | — |
| Technology | OptiMOS 3 | OptiMOS power MOSFET |
| Корпус | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-5 |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Qg) | 26 nC | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +175C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Число выводов | 8 | 8 |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 200V |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold typical] |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Уровень MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Configuration | — | Single N-channel |