BSC123N08NS3GATMA1 vs BSC033N08NS5SCATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC123N08NS3GATMA1 от Infineon и BSC033N08NS5SCATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 - 80V 55A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC123N08NS3GATMA1 - 80V 55A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC123N08NS3GATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC033N08NS5SCATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC123N08NS3GATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,71 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single with built-in body diode —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Maximum Continuous Drain Current (ID, Tc) 55 A —
Maximum Continuous Drain Current (ID, Ta) 11 A —
Maximum Pulsed Drain Current [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum RDS(on) @ VGS=10 V 12.3 mOhm —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Power Dissipation (Tc) 66 W 136 W
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Рабочая температура перехода -55C to +150C —
Корпус PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Статус RoHS Compliant with exemption Compliant
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
Series — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (Tc) — 144 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 3.3 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — +/- 20 V
Thermal Resistance RthJC — 0.86 K/W
Диапазон рабочих температур — -55C to +175C
Technology — Trench (OptiMOS 5)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену