BSC155N06NDATMA1 vs BSC0501NSIATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC155N06NDATMA1 от Infineon и BSC0501NSIATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC155N06NDATMA1 BSC155N06NDATMA1 - Dual 60V 20A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC155N06NDATMA1 - Dual 60V 20A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC155N06NDATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET 100A | Infineon

BSC0501NSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET 100A | Infineon

BSC0501NSIATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC155N06NDATMA1 BSC0501NSIATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,62 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon
Part Number BSC155N06NDATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench) Trench-gate OptiMOS 5
Configuration Dual N-channel MOSFET array —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 20 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 15.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Диапазон рабочих температур -55 C to +175 C —
Корпус PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Power Dissipation (Tc=25C) 50 W —
Уровень MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Статус RoHS Compliant (Pb-free plating) Compliant
Lead-Free Plating Yes —
Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs < 0.8 —
Product Family — OptiMOS 5 25V/30V
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 50 W
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Рабочая температура перехода — -55C to +150C
Avalanche Rated — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену