BSF134N10NJ3GXUMA1 vs IPB024N10N5ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSF134N10NJ3GXUMA1 от Infineon и IPB024N10N5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSF134N10NJ3GXUMA1 BSF134N10NJ3GXUMA1 - 100V OptiMOS N-Ch MOSFET, 9A/40A | Infineon

BSF134N10NJ3GXUMA1 - 100V OptiMOS N-Ch MOSFET, 9A/40A | Infineon

BSF134N10NJ3GXUMA1 ✓ Активен
Infineon
IPB024N10N5ATMA1 IPB024N10N5ATMA1 - 100V 2.4mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

IPB024N10N5ATMA1 - 100V 2.4mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

IPB024N10N5ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSF134N10NJ3GXUMA1 IPB024N10N5ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,78 $1,86
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 100 V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 9 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.2 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 43 W —
Корпус MG-WDSON-2 (CanPAK M) PG-TO263-7 (D2PAK-7)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in diode —
Terminal Position Bottom —
Terminal Finish Silver Nickel —
Диапазон рабочих температур -55°C to +150°C (TJ max) [DATA_NEEDED: exact Min/Max from datasheet] -55C to +175C (junction)
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Technology Trench-gate OptiMOS planar OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate)
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max value] —
Body Diode Reverse Recovery [DATA_NEEDED: trr value] —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 180 A
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 250 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Input Capacitance Ciss — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Output Capacitance Coss — [DATA_NEEDED: Coss value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
Без галогенов — Yes (per Infineon product family policy)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену