BSL215CH6327XTSA1 vs IRLL2705TRPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSL215CH6327XTSA1 от Infineon и IRLL2705TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
BSL215CH6327XTSA1 - 20V 1.5A N+P Complementary OptiMOS | Infineon
BSL215CH6327XTSA1 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | BSL215CH6327XTSA1 | IRLL2705TRPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,21 | $0,22 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | N-Channel and P-Channel Complementary Pair | N-Channel MOSFET, Metal Oxide |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 1.5 A | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V | 250 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Power Dissipation (P_D) | 500 mW | — |
| Корпус / Типоразмер | PG-TSOP6-6 (6-pin TSOP) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | -55C to +150C | — |
| Configuration | Half-bridge (1 N + 1 P) | — |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | HEXFET (IR MOSFET fifth generation) |
| Уровень MSL | 1 (unlimited) | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes (PBF suffix) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at 25 deg C | — | 3.8 A |
| Peak Drain Current (IDM, pulsed) | — | 5.2 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 40 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 32 nC |
| Gate Drive Level | — | Logic-Level |
| Power Dissipation at TA=25 deg C | — | 1 W (Ta), 2.1 W (per LCSC listing) |
| Диапазон рабочих температур | — | -55 deg C to +175 deg C |
| Корпус | — | SOT-223 |
| Dynamic dv/dt Rating | — | Yes |