BSL308CH6327XTSA1 vs BSL308PEH6327XTSA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSL308CH6327XTSA1 от Infineon и BSL308PEH6327XTSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 ✓ Активен
Infineon
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 - 30V 2A Dual P-Ch MOSFET | Infineon

BSL308PEH6327XTSA1 - 30V 2A Dual P-Ch MOSFET | Infineon

BSL308PEH6327XTSA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSL308CH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,21 $0,21
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs —
Configuration Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel) Dual, common source
Корпус PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins) PG-TSOP6-6 (TSOT-23-6)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) 2.3 A —
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) 2 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch] —
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch] —
Total Gate Charge (Qg) 5 nC @ 10 V —
Input Capacitance (Ciss) 18 pF —
Диапазон рабочих температур -55 °C to +150 °C —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Automotive Qualified Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Без галогенов Yes (per Infineon product family convention) —
Series — OptiMOS
FET Type — 2x P-Channel (Dual)
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) — -2 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
Рабочая температура — -55 C to +150 C (TJ)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Количество выводов — 6
Channel Mode — Enhancement
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V / 4.5V]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену