BSS119NH6327XTSA1 vs BSS214NH6327XTSA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSS119NH6327XTSA1 от Infineon и BSS214NH6327XTSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA, SOT-23 | Infineon

BSS119NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA, SOT-23 | Infineon

BSS119NH6327XTSA1 ✓ Активен
Infineon
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSS119NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,12 $0,09
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
FET Technology Enhancement-mode, planar N-channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 190 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 500 mW —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max] —
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Корпус PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet] -55C to +150C (junction)
Qualification AEC-Q101 (automotive grade) AEC-Q101 (Automotive)
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Packaging Tape & Reel (3,000 pcs/reel) —
Уровень MSL 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet] 1 (per JEDEC J-STD-020)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 20 V
Continuous Drain Current (ID) — 1.5 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 250 mOhm at VGS = 4.5 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
Gate-Source Voltage (VGS max) — ±12 V (recommended)
Technology — OptiMOS 2 (planar N-channel)
Lead Finish — Pb-free lead plating (matte tin)
ESD Protection — Yes (gate ESD diode)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену