BSS214NH6327XTSA1 vs BSS123NH6327XTSA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSS214NH6327XTSA1 от Infineon и BSS123NH6327XTSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ Активен
Infineon
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSS214NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,09 $0,09
FET Type N-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 1.5 A (Ta) 190 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 250 mOhm at VGS = 4.5 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] —
Gate-Source Voltage (VGS max) ±12 V (recommended) —
Technology OptiMOS 2 (planar N-channel) —
Корпус SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins PG-SOT23 (SOT-23-3)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55C to +150C (junction) -55 °C to +150 °C (junction)
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (automotive)
Lead Finish Pb-free lead plating (matte tin) —
Статус RoHS Compliant —
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
ESD Protection Yes (gate ESD diode) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS123NH6327XTSA1
Part Status — Active
RDS(on) Max — 6 Ω @ VGS = 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)]
Gate-Source Voltage Max (VGS) — ±20 V
RoHS Compliance — Yes (Pb-free lead plating)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену