BSS806NEH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSS806NEH6327XTSA1 от Infineon и BSS308PEH6327XTSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23
BSS308PEH6327XTSA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | BSS806NEH6327XTSA1 | BSS308PEH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,14 | $0,11 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSS806NEH6327XTSA1 | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Mode of Operation | Enhancement-mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 20 V (maximum) | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 2.3 A (Ta) | -2 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | 500 mW (Ta) |
| On-Resistance RDS(on) | 57 mOhm (maximum) | — |
| Корпус | PG-SOT23 (SOT-23-3) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Число выводов | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Yes (compliant) | — |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (automotive grade) | — |
| Диапазон рабочих температур | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55 °C to +150 °C |
| Part Family | — | OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) |
| RDS(on) Max | — | 80 mΩ at VGS = -10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | +/-20 V |
| Корпус / Типоразмер | — | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| Количество выводов | — | 3 |
| Qualification | — | AEC-Q101 Automotive |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |
| Standard Reel Quantity | — | 3000 pcs |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |