BSS816NWH6327XTSA1 vs BSL316CH6327XTSA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSS816NWH6327XTSA1 от Infineon и BSL316CH6327XTSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 - 20V 1.4A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS816NWH6327XTSA1 - 20V 1.4A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS816NWH6327XTSA1 ✓ Активен
Infineon
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 - 30V 1.5A Complementary MOSFET | Infineon

BSL316CH6327XTSA1 - 30V 1.5A Complementary MOSFET | Infineon

BSL316CH6327XTSA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSS816NWH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,14 $0,22
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family BSS816NW (OptiMOS 2 Small-Signal) OptiMOS small-signal complementary MOSFET
Тип транзистора MOSFET, N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
RDS(on) max @ VGS=4.5V 160 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=2.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW —
Диапазон рабочих температур -55C to +150C —
Корпус SOT-323 (PG-SOT323), 3-pin PG-TSOP6-6 (TSOP6, 6-pin)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Technology OptiMOS 2 trench MOSFET OptiMOS low-voltage MOSFET
ESD Protection Yes (integrated, per Infineon datasheet) —
RoHS / Lead-Free RoHS compliant, lead-free —
Уровень MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Configuration — Complementary pair (1 N-channel + 1 P-channel in one package)
Continuous Drain Current (N-channel ID) — 1.4 A
Continuous Drain Current (P-channel ID) — 1.5 A
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Рабочая температура — -55C to +150C (junction)
Channel Type — N-channel + P-channel (dual)
Число выводов — 6
Статус RoHS — Compliant
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену