BSZ036NE2LSATMA1 vs BSZ065N06LS5ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSZ036NE2LSATMA1 от Infineon и BSZ065N06LS5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
BSZ036NE2LSATMA1 - 25V N-Channel OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSZ036NE2LSATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | BSZ036NE2LSATMA1 | BSZ065N06LS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,42 | $0,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 16 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 37 W | — |
| Корпус | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single | — |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +150C | -55°C to +150°C |
| Уровень MSL | 1 (Unlimited) | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Series | — | OptiMOS™ 5 |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | OptiMOS™ 5 logic-level |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) Max | — | 65 A |
| Drain Current @ Tc (ID, Tc=25°C) | — | 40 A |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 6.5 mΩ |
| Power Dissipation (PD) Max | — | 46 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.3 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 13 nC @ VGS=4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 1.8 nF |