BSZ0994NSATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSZ0994NSATMA1 от Infineon и BSC050N04LSGATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSZ0994NSATMA1 BSZ0994NSATMA1 - 30V 13A N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSZ0994NSATMA1 - 30V 13A N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSZ0994NSATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSZ0994NSATMA1 BSC050N04LSGATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,31 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 30V —
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 13 A —
Power Dissipation (PD, Ta) 2.1 W —
Technology Trench (OptiMOS 5) OptiMOS 3 (trench MOSFET)
Корпус PG-TSDSON-8-25 (5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Количество выводов 8 —
Диапазон рабочих температур -55C to +150C (junction) -55C to +150C
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
On-Resistance (RDS(on), typ @10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) typ @VGS=10V] —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Packaging Tape & Reel —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) — 18 A
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) — 85 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 57 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse avalanche)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену