CY14B101KA-ZS25XI vs CY14B101KA-ZS45XI Сравнение
Подробное сравнение бок о бок CY14B101KA-ZS25XI от Infineon и CY14B101KA-ZS45XI от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | CY14B101KA-ZS25XI | CY14B101KA-ZS45XI |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $5,70 | $6,40 |
| Тип памяти | nvSRAM (Non-Volatile SRAM) with RTC | nvSRAM (nonvolatile SRAM) with RTC |
| Density | 1 Mbit (1024 kbit) | 1 Mbit (1049 kbits) |
| Организация памяти | 128K x 8 | 128K x 8 |
| Интерфейс | Parallel | Parallel (SRAM-compatible) |
| Access Time | 25 ns | 45 ns |
| Напряжение питания | 2.7 V to 3.6 V (nominal 3 V) | 3 V (2.7 V to 3.6 V range class) |
| Store Cycles | [DATA_NEEDED: store cycle endurance] | — |
| SRAM Read/Write Endurance | Unlimited | — |
| RTC | Yes, with alarm and external 32.768 kHz crystal | — |
| Automatic STORE | Yes, on power fail via VCAP | — |
| Корпус | 44-TSOP II | 44-pin TSOP II |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | -40C to +85C (industrial) | -40C to +85C (industrial, XI suffix) |
| Technology | QuantumTrap non-volatile elements | CMOS with QuantumTrap nonvolatile elements |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Статус RoHS | RoHS compliant (per package marking ZS25XI) | Compliant |
| Data Retention | — | 20 years |
| Real-Time Clock | — | Yes, integrated with backup |
| Package Standard | — | MO-119, SOIC-family TSOP II outline |
| Endurance (SRAM reads/writes) | — | Unlimited |
| Nonvolatile Store Endurance | — | [DATA_NEEDED: store endurance cycles] |
| Active Supply Current | — | [DATA_NEEDED: ICC active] |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: ISB standby] |