DS24B33Q+T&R vs DS24B33+ Сравнение

Подробное сравнение бок о бок DS24B33Q+T&R от Maxim Integrated и DS24B33+ от Analog Devices. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Maxim Integrated
DS24B33Q+T&R DS24B33Q+T&R - 4Kb 1-Wire EEPROM, 6-TDFN | Maxim Integrated

DS24B33Q+T&R - 4Kb 1-Wire EEPROM, 6-TDFN | Maxim Integrated

DS24B33Q+T&R ✓ Активен
Analog Devices
DS24B33+ DS24B33+ - 4Kb 1-Wire EEPROM, TO-92 | Analog Devices

DS24B33+ - 4Kb 1-Wire EEPROM, TO-92 | Analog Devices

DS24B33+ ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр DS24B33Q+T&R DS24B33+
Бренд Maxim Integrated Analog Devices
Категория Memory ICs EEPROM
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,85 $1,92
Тип памяти Non-volatile EEPROM (1-Wire) EEPROM (Non-Volatile)
Размер памяти 4 Kbit (4096 bits) 4 Kbit (4096 bits)
Memory Organization 16 pages x 256 bits 16 pages x 256 bits (16 pages x 32 bytes)
Scratchpad Size 32 bytes 32 bytes (256 bits)
Интерфейс 1-Wire (single-conductor) 1-Wire (single-conductor serial)
Write Cycle Time 2 us (scratchpad, typical) —
Operating Voltage 3.3 V / 5 V 2.8 V to 5.25 V
Unique ID 64-bit factory-programmed ROM ID —
Data Retention 40 years (typical) —
Корпус 6-TDFN (3x3 mm) with Exposed Pad TO-92-3 (through-hole)
Тип монтажа Surface Mount Through-Hole
Рабочая температура -40 C to +85 C -40°C to +85°C
Уровень MSL 1 (data undisclosed in sources) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Family Code 0x23 (1-Wire) —
Write/Erase Endurance — 200K cycles per page
Unique ROM Registration — 64-bit factory-programmed laser ROM
Write/Erase Time (typical) — 2 µs (page write cycle)
Число выводов — 3
On-Chip CRC — CRC-16 generator

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену