DS24B33Q+T&R vs DS24B33+ 비교

다음의 상세 나란히 비교: DS24B33Q+T&R 제조: Maxim Integrated 및 DS24B33+ 제조: Analog Devices. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Maxim Integrated
DS24B33Q+T&R DS24B33Q+T&R - 4Kb 1-Wire EEPROM, 6-TDFN | Maxim Integrated

DS24B33Q+T&R - 4Kb 1-Wire EEPROM, 6-TDFN | Maxim Integrated

DS24B33Q+T&R ✓ 활성
Analog Devices
DS24B33+ DS24B33+ - 4Kb 1-Wire EEPROM, TO-92 | Analog Devices

DS24B33+ - 4Kb 1-Wire EEPROM, TO-92 | Analog Devices

DS24B33+ ✓ 활성

사양 비교

파라미터 DS24B33Q+T&R DS24B33+
브랜드 Maxim Integrated Analog Devices
카테고리 Memory ICs EEPROM
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.85 $1.92
메모리 유형 Non-volatile EEPROM (1-Wire) EEPROM (Non-Volatile)
메모리 크기 4 Kbit (4096 bits) 4 Kbit (4096 bits)
Memory Organization 16 pages x 256 bits 16 pages x 256 bits (16 pages x 32 bytes)
Scratchpad Size 32 bytes 32 bytes (256 bits)
인터페이스 1-Wire (single-conductor) 1-Wire (single-conductor serial)
Write Cycle Time 2 us (scratchpad, typical) —
Operating Voltage 3.3 V / 5 V 2.8 V to 5.25 V
Unique ID 64-bit factory-programmed ROM ID —
Data Retention 40 years (typical) —
패키지 6-TDFN (3x3 mm) with Exposed Pad TO-92-3 (through-hole)
실장 유형 Surface Mount Through-Hole
동작 온도 -40 C to +85 C -40°C to +85°C
MSL 레벨 1 (data undisclosed in sources) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Family Code 0x23 (1-Wire) —
Write/Erase Endurance — 200K cycles per page
Unique ROM Registration — 64-bit factory-programmed laser ROM
Write/Erase Time (typical) — 2 µs (page write cycle)
핀 수 — 3
On-Chip CRC — CRC-16 generator

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