H5AN4G8NBJR-UHCR vs H5AN4G8NBJR-VKC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN4G8NBJR-UHCR от SK hynix и H5AN4G8NBJR-VKC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR ✓ Активен
SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-VKC
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,18 $2,40
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
Организация памяти 512M x 8 —
Speed Grade UH (DDR4-2400 class, PC2400) —
Напряжение питания 1.2 V (VDD) —
Интерфейс DDR4 SSTL12 —
Internal Prefetch 8n —
Корпус 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm) FBGA-78 (7.5 x 11 mm)
Тип монтажа Surface Mount (BGA solder-down) Surface Mount
Operating Case Temperature -40C to +85C (industrial range) —
Extended Temperature Range Up to +95C case temperature (per datasheet conditions) —
Lead Free Yes —
Без галогенов Yes —
Статус RoHS Compliant Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet)
Packaging Suffix -R = Tape and Reel —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification] [DATA_NEEDED: refresh rate]
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CL value for UH grade] [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade]
Размер памяти — 4 Gb
Memory Organization — 512M x8
Скорость передачи данных — 2666 Mbps (DDR4-2666)
Memory Interface — Parallel
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Technology — CMOS DRAM
Volatile / Non-Volatile — Volatile
Рабочая температура — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging — Tray
Статус жизненного цикла — Active

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену