H5AN4G8NBJR-UHCR vs H5AN4G8NBJR-VKC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-UHCR par SK hynix et H5AN4G8NBJR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-UHCR | H5AN4G8NBJR-VKC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,18 | $2,40 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | — |
| Speed Grade | UH (DDR4-2400 class, PC2400) | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V (VDD) | — |
| Interface | DDR4 SSTL12 | — |
| Internal Prefetch | 8n | — |
| Boîtier | 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm) | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| Type de montage | Surface Mount (BGA solder-down) | Surface Mount |
| Operating Case Temperature | -40C to +85C (industrial range) | — |
| Extended Temperature Range | Up to +95C case temperature (per datasheet conditions) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) |
| Packaging Suffix | -R = Tape and Reel | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification] | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CL value for UH grade] | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] |
| Taille de mémoire | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x8 |
| Débit de données | — | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| Température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Packaging | — | Tray |
| Statut du cycle de vie | — | Active |