H5AN8G8NAFR-RDC vs K4A8G085WC-BCRC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN8G8NAFR-RDC от SK hynix и K4A8G085WC-BCRC от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5AN8G8NAFR-RDC | K4A8G085WC-BCRC |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | DRAM |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,95 | $4,30 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gbit |
| Организация памяти | 1G x 8 (x8) | 1G x 8 |
| Интерфейс | DDR4 (Double Data Rate 4) | — |
| Speed Grade | -RDC (DDR4-2666 class) | — |
| Скорость передачи данных | 2666 MT/s (per -R speed grade suffix) | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Core Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Wordline Supply (VPP) | 2.5 V | — |
| Banks / Bank Groups | 16 banks / 4 bank groups (DDR4 8Gb architecture) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Корпус | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (TFBGA) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: Operating Temperature range] | 0C to +95C |
| Lead-Free | Yes | — |
| Без галогенов | Yes | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Datasheet Revision | Rev. 1.2 / Jul. 2017 | — |
| Напряжение питания | — | 1.2 V |
| Terminal Pitch | — | 0.8 mm |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Refresh | — | Auto/Self refresh |