H5TC4G63AFR-PBI vs H5TC4G63CFR-PBA Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5TC4G63AFR-PBI от SK hynix и H5TC4G63CFR-PBA от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete
SK hynix
H5TC4G63CFR-PBA H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63CFR-PBA
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Obsolete Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $6,50 $6,23
Тип памяти DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Организация памяти 256M x 16 256M x 16
Total Memory Size 4 Gb —
Скорость передачи данных DDR3-1600 (PC3L-12800) —
Напряжение питания 1.35 V —
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 (BL8) —
Задержка CAS Programmable —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Refresh Period 7.8 us at 85°C —
Диапазон рабочих температур -40°C to +95°C —
Корпус 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) 96-ball FBGA (PBGA96)
Тип монтажа Surface Mount —
Number of Terminals 96 —
Статус RoHS Compliant —
Density — 4Gb
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V +0.100/-0.067V
Clock Input — Fully differential (CK, CK)
Data Strobe — Differential (DQS, DQS)
On-chip DLL — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Auto Precharge — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Dynamic ODT — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Asynchronous Reset — Yes
RoHS — Compliant
Без галогенов — Yes
Lead-Free — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену